普賽斯PMST系列igbt性能測試儀器失效分析等，主要包括測試主機、測試夾具、工控機、上位機軟件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴展到12kV，且自帶漏電流測量功能。系統(tǒng)標配C-V測試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測試，頻率默認1MHz，可擴展至10MHz

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；    
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；
模塊化設計：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；

系統(tǒng)參數(shù)

測試項目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、 正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內(nèi)阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導g_fs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、 電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優(yōu)勢。它能夠全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的著越表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態(tài)參數(shù)測試解決方案還支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現(xiàn)高效和可重復的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從皮安級、mV級高精度源表到千安級、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國內(nèi)企業(yè)在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測試示范線，應領了國內(nèi)IGBT測試的技術潮流。更多有關igbt性能測試儀器失效分析等詳情找普賽斯儀表專員為您解答